2025. Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід. Східно-європейський фізичний журнал. 1 (Бер 2025), 141–150. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-13.