[1]
2024. Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. Східно-європейський фізичний журнал. 1 (Бер 2024), 294–307. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-26.