2024. Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей. Східно-європейський фізичний журнал. 1 (Бер 2024), 322–326. DOI:https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29.