Перегляд Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K

Повернутися до подробиць випуску Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K Завантажити Завантажити PDF