Ахмед БС, Анісса Б, Радуан Д, Бузіє НА, Дурукан ІК, Амране Н. Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 05, Березень 2024 [цит. за 05, Грудень 2025];(1):294-07. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/22616