Ахмед, Б. С., Б. Анісса, Д. Радуан, Н. А. Бузіє, І. К. Дурукан, і Н. Амране. «Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT». Східно-європейський фізичний журнал, вип. 1, Березень 2024, с. 294-07, doi:10.26565/2312-4334-2024-1-26.