[1]
А. Й. Бобоєв, У. Р. Карімбердієв, Н. Й. Юнусалієв, і Д. С. Мадамінов, «Фотоелектричні властивості гетероструктур n-Si–p-(Ge2)1-x-y(ZnSe)x(GaAs1-δBiδ)y», East Eur. J. Phys., вип. 3, с. 314-318, Вер 2025.