Д. Ш. Абдуллаєв і І. Б. Сапаєв, «Аналітичний аналіз особливостей радіальних гетеропереходів GaAs/Si: вплив температури та концентрації», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 204-210, Бер 2025.