[1]
С. О. Садуллаєв, І. Б. Сапаєв, і Х. Е. Абдікарімов, «Моделювання та теоретичне дослідження p-n гетеропереходів на основі CdTe/Si: вирівнювання зони, транспорт носіїв та електрофізичні властивості, залежні від температури», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 211-216, Бер 2025.