Б. С. Ахмед, Б. Анісса, Д. Радуан, Н. А. Бузіє, І. К. Дурукан, і Н. Амране, «Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 294-307, Бер 2024.