[1]
Р. С. Мадатов, А. Алекперов, Ф. Нурмаммадова, Н. А. Ісмаілова, і С. Х. Джабаров, «Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей», East Eur. J. Phys., вип. 1, с. 322-326, Бер 2024.