(1)
Ахмед, Б. С.; Анісса, Б.; Радуан, Д.; Бузіє, Н. А.; Дурукан, І. К.; Амране, Н. Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. East Eur. J. Phys. 2024, 294-307.