(1)
Ілієв, Х. М.; Оджаєв, В. Б.; Ісамов, С. Б.; Ісаков, Б. О.; Ісмайлов, Б. К.; Аюпов, К. С.; Хамрокулов, Ш. І.; Хасанбаева, С. О. Аналіз рентгеновської дифракції та раманівська спектроскопія поверхні Si, збагаченої GaSb, сформованої шляхом застосування методу дифузійного легування. East Eur. J. Phys. 2023, 363-369.