Визначення евтектичної температури ізольованих двофазних наночастинок Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці

  • А. П. Крышталь Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина
Ключові слова: наночастинки, евтектичне плавлення, електрона мікроскопія, розмірний е фект.

Анотація

Наводяться результати in situ електронно-мікроскопічного дослідження плавлення ізольованих двофазних частинок Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці. Нанорозмірні частинки Au-Ge формувалися шляхом плавлення і наступної кристалізації двошарових плівок Au/Ge з евтектичним співвідношенням мас компонентів. Показано, що температура плавлення двофазної частинки Au-Ge розміром ≈20 нм становить 301 ± 15 °С, а частинки розміром ≈13 нм — 211 ± 15 °С, що істотно нижче евтектичної температури для макроскопічної системи (361 °С). 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографія автора

А. П. Крышталь, Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина
С.н.с.

Посилання

Iliadis A., Singer K. E. The role of germanium in evaporated Au-Ge ohmic contacts to GaAs // Solid-State Electronics. — 1983. — Vol. 26, No. 1. — P. 7–14.

Chidambaram V., Yeung H. B., Shan G. Reliability of Au-Ge and Au-Si Eutectic Solder Al loys for High-Temperature Electronics // Journal of Electronic Materials. — 2012. — Vol. 41, No. 8. — P. 2107–2117.

Guzman J., Boswell-Koller C. N., Beeman J. W. et. al. Reversible phase changes in Ge-Au nano particles // Applied Physics Letters. — 2011. — Vol. 98. — 193101 p.

Wang Z., Jeurgens L. P. H., Wang J. Y., Mittemeijer E. J. Fundamentals of Metal-induced
Crystallization of Amorphous Semiconductors // Adv. Eng. Mater. — 2009. — Vol. 11. — P. 131–135.

Lee J. G., Mori H. TEM Studies on Phase Sta bility in Nanometer-sized Alloy Particles // Solid State Phenomena. — 2007. — Vol. 127. — P. 135–140.

Sutter E. A., Sutter P. Size-Dependent Phase Diagram of Nanoscale Alloy Drops Used in Vapor-Liquid-Solid Growth of Semiconductor Nanowires // ACS Nano. — 2010. — Vol. 4, No. 8. — P. 4943–4947.

Сухов Р. В., Миненков А. А., Крышталь А. П. Понижение температуры эвтектики в наноразмерной слоистой пленочной системе AuGe // Вестник Харьковского национального университета им. В. Н. Каразина. Серия «Физика». — 2010. — № 915, вып. 14. — С. 88–90.

Kryshtal A. P., Sukhov R. V., Minenkov A. A. Critical thickness of contact melting in the Au / Ge layered film system // Journal of Alloys and Compounds. — 2012. — Vol. 512. — P. 311–315.

Adhikari H., Marshall A. F., Goldthorpe I. A. et. al. Metastability of Au-Ge Liquid Nanocatalysts: Ge Vapor-Liquid-Solid Nanowire Growth Far below the Bulk Eutectic Temperature // ASCNano. — 2007. — Vol. 1, No. 5. — P. 415–422.

Kryshtal A. P., Bogatyrenko S. I., Sukhov R. V., Minenkov A. A. The kinetics of the formation of a solid solution in an Ag-Pd polycrystalline film system // Applied Physics A. — 2014. — Vol. 116, No. 4. — P. 1891–1896.

Bogatyrenko S. I. Formation of the solid solutions in the Au-Ni film system: In situ TEM study // Technical Physics. — 2014. — Vol. 59, No. 9. — P. 1374–1377.

Gryaznov V. G., Kaprelov A. M., Belov A. Y. Real temperature of nanoparticles in electron microscope beams // Phil. Mag. Lett. — 1991. — Vol. 63(5). — P. 275–279.

Liu L., Risbud S. H. Realtime hotstage highvol tage transmission electron microscopy precipitation of CdS nanocrystals in glasses: Experiment and theoretical analysis // J. Appl. Phys. — 1994. — Vol. 76. — P. 4576–4580.

Hobbs L. W. Introduction to analytical electron microscopy, ed. J. J. Hren, J. I. Goldstein, and D. C. Joy. — New York: «Plenum Press», 1979. — P. 437–480.
Gladkikh N. T., Chizhik S. P., Larin V. I., et. al. // Soviet Phys. Dokl. — 1988. — Vol. 33 (5). — P. 362–364.

Gladkikh N. T., Bogatyrenko S. I., Kryshtal A. P., Anton R. Melting point lowering of thin metal films (Me = In, Sn, Bi, Pb) in Al/Me/ Al film system // Applied Surface Science. — 2003. — Vol. 219. — P. 338–346.
Опубліковано
2017-02-24
Як цитувати
Крышталь, А. П. (2017). Визначення евтектичної температури ізольованих двофазних наночастинок Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 292 - 297. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8007